今天我們來淺談一下微電子在我國的發展現狀。
中國的集成電路產業起步于1965年，經過30多年的發展，現已初步形成了包括設計、制造、

封裝業共同發展的產業結構。芯片生產技術已達到8英寸、0.25微米-0.18微米水平。但總體

來講，我國集成電路產業比較弱小，1999年銷售額僅占*的0.7%，只能滿足國內

市場需求的16%。要提高我國微電子技術的整體水平，我們還需要長期的艱苦努力。
我國高校微電子專業目前所開專業課程包括：半導體物理與器件、集成電路原理與設計、近

代物理實驗、固體物理導論、微機電系統技術基礎、薄膜材料與薄膜技術等。
目前中國微電子存在的主要問題有：
1.缺乏高標準和可持續發展的長遠規劃和措施以及建立微電子產業群體的目標。
2.機制上不適應微電子產業自身發展的要求。產業投資方式單一；投資和其它政策方面的決

策太慢，使發展滯后；科研和產業嚴重脫節，而且科研和開發的投資嚴重不足。
3.缺乏系統的市場戰略。國內市場被國外大公司瓜分。對于有戰略意義而且量大面廣的如中

央處理器（CPU）和存儲器等關鍵芯片市場沒有給予足夠的重視和決心自主研制開發的決心。

整機設計開發與芯片廠脫節，產品不能配套生產。
4.政策環境不適應現代化微電子產業的發展。我國微電子企業資金有較大一部分是借款，加

之增值稅過重，使得企業負擔很重。
5.微電子領域人才流失現象嚴重，缺乏吸引和激勵人才的有效措施。
建議：制訂加速中國微電子產業發展的目標。5年內達到：以多元投資模式建成一定規模的產

業群，其中一半以上企業在技術、市場和管理上中國有主導權。組織和引進人才，大力

研發新一代核心生產工藝技術，積累自主的知識產權，使中國微電子芯片生產制造工藝技術

達到與水平只差一代。集成電路產量到2005年由目前的占世界產量的0.6%提高到2%左右

。通過10年左右的努力，掌握集成電路設計、生產的關鍵技術，提高國內外*和國

內市場的自給率，占世界產量從2%提高到4%，自給率達到30%左右；滿足國防工業和信息安全

對集成電路的需求；形成能夠良性循環的科研、生產體系；產業與科學技術水平與當時的國

際水平相當。
為保證上述目標的實現，建議實施以下9項措施：
1.成立國家微電子管理委員會：直屬中央，賦予權利和責任，實行一元化的領導，用“兩彈

一星”精神，按系統工程思路有機地制定出科研、開發和生產的長期發展戰略，管理好微電

子產業。
2.為實現可持續發展，以自主研究和開發0.18微米以下硅集成電路大生產技術為突破口，逐

步掌握核心技術。建設3-5條8英寸以上的硅生產線，并掌握其技術、市場和管理的主導權。

同時，以多元化模式5年內共建成6-10條（含上述“自主”的3-5條）大生產線，初步形成產

業群。建設產業群的多元模式可采用政府先導、借貸政策的傾斜、吸引和利用外資、港澳臺

的資金和鼓勵引導集體和私營等非國有經濟涉足微電子行業等措施相結合。這樣5年內國家需

投入股本金4.5-7.5億美元，貼息3-5億美元。
3.建設好集成電路設計業的基礎環境，給予優惠政策，吸引投資，突破重點，放活一片。建

立有知識產權的設計模塊（IP）庫和服務、復用機制。組織突破以CPU和存儲器為代表

的集成電路設計核心技術。
4.以快的速度建設一條砷化鎵器件和集成電路的生產線。發展射頻（RF）領域的砷化鎵集

成電路目前尚不需要十分苛刻的微細加工技術，符合中國的國情，抓住時機建設一條砷化鎵

民用電路生產線，可扭轉我國通訊市場單純依賴進口砷化鎵芯片的局面。該生產線投資約需4

億元人民幣。
5.抓住機遇研究開發新一代關鍵的微電子設備。國家應組織力量以充足的投資，選準方

向，加強與的合作，開展以瞄準可用于0.1-0.13微米光刻的193納米準分子激光投影光刻

機為重點的設備中的關鍵技術研究并達到實用化。同時開展電子束和X射線光刻等新一代

光刻機等關鍵設備的技術攻關，為占領未來微電子技術的制高點做好設備技術方面的準

備。
6.建立微電子研究開發中心。集中國家有限的人力和財力，建立獨立的微電子

研究開發中心。國家應有長遠的投資規劃，并能逐步吸引大企業入資。把國內有優勢的高校

和研究所力量更好地組織起來，形成一支穩定、有效的研發力量。該中心的任務：密切與產

業的結合，開發新一代微電子核心工藝技術以及市場有大量需求的產品，轉移到大生產

線上，并且在開發新一代微電子工藝的基礎上開發我國微電子關鍵設備。同時，針對10年以

后我國微電子產業的需求，開展新一代系統芯片中新工藝、新器件和新結構電路的前瞻性、

戰略性研究。該中心定位于：支持高校和研究所進行創新性研究，并將成果加以驗證、集成

和中試，終發展成為自主知識產權的源泉，并轉移到產業界，從而實現我國微電子產業的

自主和可持續發展。該中心一次性投入約需50億元人民幣，今后每年投入3~5億人民幣，中心

也應當從企業和市場中得到部分經費來源。
7.實施“微電子人才培養和引進工程”，以大的力度吸引國外的微電子技術和管理人

才，尤其是事業有成的國外留學生；制訂出優惠政策，扭轉微電子人才大量外流的趨勢；近

期內應訂出計劃，大量培養出一批微電子工藝開發、設計和系統應用人才。
8.產業的發展很大程度上靠機制創新和各種優惠政策，應制訂出符合微電子產業發展的現代

企業的集資機制和能使其良性發展的優惠稅收及其它政策。
9.從系統工程觀點出發，制訂微電子市場發展戰略（包括國內市場和市場的占領）。從

政策、技術和組織諸方面提出并落實幾點對策：下決心占領通用芯片市場；由國家組織專項

重點工程，從整機到自主設計芯片，建立起整機業與芯片業的戰略聯盟；國家采取非關稅保

護措施，努力加大國產芯片的市場空間。
加快發展我國的微電子產業已經成為刻不容緩的大事。政府除了繼續加大資金的投入外，目

前至關重要的是如何轉換機制，制訂系統的市場戰略和*的政策，吸引資金和人才。

調動一切積極因素，既大力發展自主的民族微電子產業，又形成良好的投資環境吸引外資投

入我國的微電子產業，盡快形成產業群；同時加大對科學研究與人才培養的投入，形成植根

于中國、可持續發展的微電子產業和科學研究體系，抓住機遇迎接挑戰。相信在中央的正確

領導下，我國微電子將在世界微電子市場占有一席之地，為中國在二十一世紀的世界強國地

位奠定基礎。